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東芝MOSFET具有有源箝位結構

由於需要最少的外部元件,單個SSM3K357R和雙SSM6N357R適合驅動感性負載,例如機械繼電器或螺線管。

新型357系列可保護驅動器免受電壓浪湧可能造成的損壞,這是由感應負載的反電動勢引起的。它集成了下拉電阻,串聯電阻和齊納二極管,所有這些都有助於減少外部元件數量並節省PCB空間。

Toshiba-SSM3K357R mosfet protected器件可承受最大漏源電壓(V.DSS)60V和最大漏極電流(I.d)0.65A。低漏源導通電阻(RDS(ON))V為800mΩGS= 5.0V確保有效運行,產生的熱量最少。

單個SSM3K357R採用2.9 x 2.4 x 0.8mm SOT-23F級封裝,由於3.0V的低工作電壓,適用於繼電器和電磁閥控制。由於該器件符合AEC-Q101標準,因此適用於汽車以及許多工業應用。

雙SSM6N357R採用2.9mm x 2.8mm x 0.8mm TSOP6F級封裝,可在板上使用兩個器件,安裝面積比使用兩個單個器件少42%。