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40mΩ碳化矽晶體管開關1,200V和50A

對於SIC晶體管而言，不同尋常的是，柵極與現有的IGBT驅動器完全兼容，並具有5V柵極閾值 - 避免了與SiC mosfet的較低閾值相關的意外導通問題。

叫 UJ3C120040K3S其柵極特性來自TO-247封裝內部的共源共柵連接 - 這種技術最初與早期的SiC功率晶體管相同，在SiC mosfets變得更受歡迎之前。

UnitedSiC-cascode 在這種共源共柵中，高壓SiC JFET由低壓矽mosfet操作（見圖） - 它是傳統的矽mosfet門，連接到外部世界。

UnitedSiC是Rutgers大學的衍生公司，其背後有多年的SiC研究，它支持SiC JFET，因為該技術所需的SiC面積遠遠少於同等的SiC mosfet，並且不需要特殊的驅動器。它的這裡提出了論點。

與其他一些共源共柵器件不同，該公司尚未集成現成的Si mosfet芯片，但設計了一種定制器件以滿足其SiG JFET的需求 - 這也是一種定制設計。在JFET中，源極 - 漏極電容設計得非常低，以防止在切換期間mosfet漏極上出現過壓 - 這可能是配對不良的級聯。

UnitedSiC-app 與其早期設備相比，公司vp工程Anup Bhalla告訴Electronics Weekly，封裝熱阻已減半 - 結殼電阻現在通常為0.27°C / W - 高達65A可在25°C下處理，此時溫度為175A脈衝也是可能的。

共源共柵開關的缺點是它們可以快速切換，有時會通過高dV / dt和dI / dt數字引起EMC問題。

在這種情況下，Bhalla稱，共源共柵對被設計為在與封裝特性和預期應用相匹配的速度範圍內進行切換：功率因數校正（PFC），有源前端整流器，LLC轉換器和相移全橋轉換器。

他補充說，通過改變柵極驅動電阻可以獲得一系列的速度調節，儘管不如SiC mosfet或Si IGBT那麼多。

對於其他應用，正如它們發生的那樣，UltraSiC可以設計更快或更慢的設備 - 從10kHz的電機繞組切換到可以完成GaN功率HEMT的設備，Bhalla說。

他表示，該公司已將其早期的設備設計用於車載電動車充電器和光伏逆變器，其中包括柵極特性使其成為Si IGBT，Si mosfets和SiC mosfets的直接替代產品 - 評估和生產。

Bhalla補充說，不需要外部反向並聯二極管，並且內置結構的反向壓降（快速且額定為全電流）約為1.5V - 低於SiC Schottlys。

UJ3C1200系列的第二個成員，也是新成員 UJ3C120080K3S，與上述... 40K3S大致類似，但具有80mΩ的導通電阻和更低的電流處理能力。

UnitedSiC將在Ecomal Europe展位（7-406）上展示PCIM 2018上的1,200V設備，並將參加155號展廳6號展位的兩次小組討論。