購買 PSMN006-20K,518與BYCHPS
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VGS(TH)(最大)@標識: | 700mV @ 1mA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | 8-SO |
系列: | TrenchMOS™ |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 5 mOhm @ 5A, 4.5V |
功率耗散(最大): | 8.3W (Tc) |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
其他名稱: | 934057032518 PSMN006-20K /T3 PSMN006-20K /T3-ND |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 2 (1 Year) |
製造商標準交貨期: | 16 Weeks |
製造商零件編號: | PSMN006-20K,518 |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 4350pF @ 20V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 32nC @ 2.5V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | N-Channel 20V 32A (Tc) 8.3W (Tc) Surface Mount 8-SO |
漏極至源極電壓(Vdss): | 20V |
描述: | MOSFET N-CH 20V 32A 8-SOIC |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 32A (Tc) |
Email: | [email protected] |