購買 TPH3212PS與BYCHPS
購買即有保證
| VGS(TH)(最大)@標識: | 2.6V @ 400uA |
|---|---|
| Vgs(最大): | ±18V |
| 技術: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 供應商設備封裝: | TO-220 |
| 系列: | - |
| RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 72 mOhm @ 17A, 8V |
| 功率耗散(最大): | 104W (Tc) |
| 封装: | Tube |
| 封裝/箱體: | TO-220-3 |
| 工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型: | Through Hole |
| 濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
| 製造商標準交貨期: | 14 Weeks |
| 製造商零件編號: | TPH3212PS |
| 輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 1130pF @ 400V |
| 柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 14nC @ 8V |
| FET型: | N-Channel |
| FET特點: | - |
| 展開說明: | N-Channel 650V 27A (Tc) 104W (Tc) Through Hole TO-220 |
| 驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | - |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 650V |
| 描述: | GAN FET 650V 27A TO220 |
| 電流 - 25°C連續排水(Id): | 27A (Tc) |
| Email: | [email protected] |