購買 TK100L60W,VQ與BYCHPS
購買即有保證
VGS(TH)(最大)@標識: | 3.7V @ 5mA |
---|---|
Vgs(最大): | ±30V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | TO-3P(L) |
系列: | DTMOSIV |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 18 mOhm @ 50A, 10V |
功率耗散(最大): | 797W (Tc) |
封装: | Tube |
封裝/箱體: | TO-3PL |
其他名稱: | TK100L60W,VQ(O TK100L60WVQ |
工作溫度: | 150°C (TJ) |
安裝類型: | Through Hole |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期: | 16 Weeks |
製造商零件編號: | TK100L60W,VQ |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 15000pF @ 30V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 360nC @ 10V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | Super Junction |
展開說明: | N-Channel 600V 100A (Ta) 797W (Tc) Through Hole TO-3P(L) |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 10V |
漏極至源極電壓(Vdss): | 600V |
描述: | MOSFET N CH 600V 100A TO3P(L) |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 100A (Ta) |
Email: | [email protected] |