購買 SUD35N10-26P-T4GE3與BYCHPS
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| VGS(TH)(最大)@標識: | 4.4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs(最大): | ±20V |
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 供應商設備封裝: | TO-252, (D-Pak) |
| 系列: | TrenchFET® |
| RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 26 mOhm @ 12A, 10V |
| 功率耗散(最大): | 8.3W (Ta), 83W (Tc) |
| 封装: | Tape & Reel (TR) |
| 封裝/箱體: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 工作溫度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 安裝類型: | Surface Mount |
| 濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
| 製造商標準交貨期: | 15 Weeks |
| 製造商零件編號: | SUD35N10-26P-T4GE3 |
| 輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 2000pF @ 12V |
| 柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 47nC @ 10V |
| FET型: | N-Channel |
| FET特點: | - |
| 展開說明: | N-Channel 100V 35A (Tc) 8.3W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak) |
| 驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 7V, 10V |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 100V |
| 描述: | MOSFET N-CH 100V 35A TO252 |
| 電流 - 25°C連續排水(Id): | 35A (Tc) |
| Email: | [email protected] |