購買 STFI31N65M5與BYCHPS
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VGS(TH)(最大)@標識: | 5V @ 250µA |
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Vgs(最大): | ±25V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | I2PAKFP (TO-281) |
系列: | MDmesh™ V |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 148 mOhm @ 11A, 10V |
功率耗散(最大): | 30W (Tc) |
封装: | Tube |
封裝/箱體: | TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
其他名稱: | 497-13162 |
工作溫度: | 150°C (TJ) |
安裝類型: | Through Hole |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商零件編號: | STFI31N65M5 |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 1865pF @ 100V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 45nC @ 10V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | N-Channel 650V 22A (Tc) 30W (Tc) Through Hole I2PAKFP (TO-281) |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 10V |
漏極至源極電壓(Vdss): | 650V |
描述: | MOSFET N CH 650V 22A I2PAKFP |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 22A (Tc) |
Email: | [email protected] |