購買 STD11NM65N與BYCHPS
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VGS(TH)(最大)@標識: | 4V @ 250µA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | DPAK |
系列: | MDmesh™ II |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 455 mOhm @ 5.5A, 10V |
功率耗散(最大): | 110W (Tc) |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
其他名稱: | 497-13352-2 |
工作溫度: | 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期: | 26 Weeks |
製造商零件編號: | STD11NM65N |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 800pF @ 50V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 29nC @ 10V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | N-Channel 650V 11A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount DPAK |
漏極至源極電壓(Vdss): | 650V |
描述: | MOSFET N CH 650V 11A DPAK |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 11A (Tc) |
Email: | [email protected] |