STB11NM60-1
STB11NM60-1
型號:
STB11NM60-1
製造商:
ST
描述:
MOSFET N-CH 650V 11A I2PAK
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
12886 Pieces
數據表:
STB11NM60-1.pdf

簡單介紹

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產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:5V @ 250µA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:I2PAK
系列:MDmesh™
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:450 mOhm @ 5.5A, 10V
功率耗散(最大):160W (Tc)
封装:Tube
封裝/箱體:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
其他名稱:497-5379-5
STB11NM60-1-ND
工作溫度:-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Through Hole
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商零件編號:STB11NM60-1
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:1000pF @ 25V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:30nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特點:-
展開說明:N-Channel 650V 11A (Tc) 160W (Tc) Through Hole I2PAK
漏極至源極電壓(Vdss):650V
描述:MOSFET N-CH 650V 11A I2PAK
電流 - 25°C連續排水(Id):11A (Tc)
Email:[email protected]

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