SIJ478DP-T1-GE3
SIJ478DP-T1-GE3
型號:
SIJ478DP-T1-GE3
製造商:
Vishay / Siliconix
描述:
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
15944 Pieces
數據表:
SIJ478DP-T1-GE3.pdf

簡單介紹

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產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:2.6V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:PowerPAK® SO-8
系列:TrenchFET®
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:8 mOhm @ 20A, 10V
功率耗散(最大):5W (Ta), 62.5W (Tc)
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:PowerPAK® SO-8
其他名稱:SIJ478DP-T1-GE3TR
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:24 Weeks
製造商零件編號:SIJ478DP-T1-GE3
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:1855pF @ 40V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:54nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特點:-
展開說明:N-Channel 80V 60A (Tc) 5W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):4.5V, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):80V
描述:MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
電流 - 25°C連續排水(Id):60A (Tc)
Email:[email protected]

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