購買 SIHD5N50D-GE3與BYCHPS
購買即有保證
VGS(TH)(最大)@標識: | 5V @ 250µA |
---|---|
Vgs(最大): | ±30V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | TO-252AA |
系列: | - |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 1.5 Ohm @ 2.5A, 10V |
功率耗散(最大): | 104W (Tc) |
封装: | Tube |
封裝/箱體: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
其他名稱: | SIHD5N50D-GE3CT SIHD5N50D-GE3CT-ND |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期: | 14 Weeks |
製造商零件編號: | SIHD5N50D-GE3 |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 325pF @ 100V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 20nC @ 10V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | N-Channel 500V 5.3A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount TO-252AA |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 10V |
漏極至源極電壓(Vdss): | 500V |
描述: | MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 5.3A (Tc) |
Email: | [email protected] |