購買 SIE860DF-T1-GE3與BYCHPS
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VGS(TH)(最大)@標識: | 2.5V @ 250µA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | 10-PolarPAK® (M) |
系列: | TrenchFET® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 2.1 mOhm @ 21.7A, 10V |
功率耗散(最大): | 5.2W (Ta), 104W (Tc) |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | 10-PolarPAK® (M) |
其他名稱: | SIE860DF-T1-GE3TR SIE860DFT1GE3 |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商零件編號: | SIE860DF-T1-GE3 |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 4500pF @ 15V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 105nC @ 10V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | N-Channel 30V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (M) |
漏極至源極電壓(Vdss): | 30V |
描述: | MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 60A (Tc) |
Email: | [email protected] |