SIE812DF-T1-E3
SIE812DF-T1-E3
型號:
SIE812DF-T1-E3
製造商:
Vishay / Siliconix
描述:
MOSFET N-CH 40V 60A 10-POLARPAK
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
19037 Pieces
數據表:
SIE812DF-T1-E3.pdf

簡單介紹

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產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:3V @ 250µA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:10-PolarPAK® (L)
系列:TrenchFET®
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:2.6 mOhm @ 25A, 10V
功率耗散(最大):5.2W (Ta), 125W (Tc)
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:10-PolarPAK® (L)
其他名稱:SIE812DF-T1-E3TR
SIE812DFT1E3
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:24 Weeks
製造商零件編號:SIE812DF-T1-E3
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:8300pF @ 20V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:170nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特點:-
展開說明:N-Channel 40V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L)
漏極至源極電壓(Vdss):40V
描述:MOSFET N-CH 40V 60A 10-POLARPAK
電流 - 25°C連續排水(Id):60A (Tc)
Email:[email protected]

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