購買 SIE812DF-T1-E3與BYCHPS
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VGS(TH)(最大)@標識: | 3V @ 250µA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | 10-PolarPAK® (L) |
系列: | TrenchFET® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 2.6 mOhm @ 25A, 10V |
功率耗散(最大): | 5.2W (Ta), 125W (Tc) |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | 10-PolarPAK® (L) |
其他名稱: | SIE812DF-T1-E3TR SIE812DFT1E3 |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期: | 24 Weeks |
製造商零件編號: | SIE812DF-T1-E3 |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 8300pF @ 20V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 170nC @ 10V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | N-Channel 40V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L) |
漏極至源極電壓(Vdss): | 40V |
描述: | MOSFET N-CH 40V 60A 10-POLARPAK |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 60A (Tc) |
Email: | [email protected] |