SIA910EDJ-T1-GE3
SIA910EDJ-T1-GE3
型號:
SIA910EDJ-T1-GE3
製造商:
Vishay / Siliconix
描述:
MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC-70-6
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
15099 Pieces
數據表:
SIA910EDJ-T1-GE3.pdf

簡單介紹

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產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:1V @ 250µA
供應商設備封裝:PowerPAK® SC-70-6 Dual
系列:TrenchFET®
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:28 mOhm @ 5.2A, 4.5V
功率 - 最大:7.8W
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:PowerPAK® SC-70-6 Dual
其他名稱:SIA910EDJ-T1-GE3TR
SIA910EDJT1GE3
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:24 Weeks
製造商零件編號:SIA910EDJ-T1-GE3
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:455pF @ 6V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:16nC @ 8V
FET型:2 N-Channel (Dual)
FET特點:Logic Level Gate
展開說明:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 12V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
漏極至源極電壓(Vdss):12V
描述:MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC-70-6
電流 - 25°C連續排水(Id):4.5A
Email:[email protected]

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