SI7922DN-T1-E3 - Vishay Siliconix - 晶體管 - FET，MOSFET - 陣列 SI7922DN-T1-E3

SI7922DN-T1-E3

簡單介紹

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VGS（TH）（最大）@標識:	3.5V @ 250µA
供應商設備封裝:	PowerPAK® 1212-8 Dual
系列:	TrenchFET®
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	195 mOhm @ 2.5A, 10V
功率 - 最大:	1.3W
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	PowerPAK® 1212-8 Dual
其他名稱:	SI7922DN-T1-E3TR SI7922DNT1E3
工作溫度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:	24 Weeks
製造商零件編號:	SI7922DN-T1-E3
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	-
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	8nC @ 10V
FET型:	2 N-Channel (Dual)
FET特點:	Logic Level Gate
展開說明:	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 1.8A 1.3W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
漏極至源極電壓（Vdss）:	100V
描述:	MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8
電流 - 25°C連續排水（Id）:	1.8A
Email:	[email protected]

型號	製造商	描述	查看
PMGD290XN,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP	在線詢價
SI7922DN-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8	在線詢價
SI3529DV-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP	在線詢價
SI7925DN-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8	在線詢價
IXTL2X200N085T	IXYS	MOSFET 2N-CH 85V 112A I5-PAK	在線詢價
SI4900DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC	在線詢價
FDS8958B	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC	在線詢價
IRF7389PBF	Infineon Technologies	MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC	在線詢價
SI7925DN-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8	在線詢價
NDS9945	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC	在線詢價
UP04979G0L	Panasonic Electronic Components	MOSFET N/P-CH 50V/30V SSMINI-6	在線詢價
SI7923DN-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8	在線詢價
SI7923DN-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8	在線詢價
IRF5852TR	Infineon Technologies	MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP	在線詢價