購買 SI4511DY-T1-GE3與BYCHPS
購買即有保證
VGS(TH)(最大)@標識: | 1.8V @ 250µA |
---|---|
供應商設備封裝: | 8-SO |
系列: | TrenchFET® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 14.5 mOhm @ 9.6A, 10V |
功率 - 最大: | 1.1W |
封装: | Original-Reel® |
封裝/箱體: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
其他名稱: | SI4511DY-T1-GE3DKR |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商零件編號: | SI4511DY-T1-GE3 |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | - |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 18nC @ 4.5V |
FET型: | N and P-Channel |
FET特點: | Logic Level Gate |
展開說明: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 7.2A, 4.6A 1.1W Surface Mount 8-SO |
漏極至源極電壓(Vdss): | 20V |
描述: | MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 7.2A, 4.6A |
Email: | [email protected] |