SI3529DV-T1-GE3 - Vishay Siliconix - 晶體管 - FET，MOSFET - 陣列 SI3529DV-T1-GE3

SI3529DV-T1-GE3

簡單介紹

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VGS（TH）（最大）@標識:	3V @ 250µA
供應商設備封裝:	6-TSOP
系列:	TrenchFET®
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	125 mOhm @ 2.2A, 10V
功率 - 最大:	1.4W
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
工作溫度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商零件編號:	SI3529DV-T1-GE3
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	205pF @ 20V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	7nC @ 10V
FET型:	N and P-Channel
FET特點:	Logic Level Gate
展開說明:	Mosfet Array N and P-Channel 40V 2.5A, 1.95A 1.4W Surface Mount 6-TSOP
漏極至源極電壓（Vdss）:	40V
描述:	MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP
電流 - 25°C連續排水（Id）:	2.5A, 1.95A
Email:	[email protected]