SI3460BDV-T1-E3 - Vishay Siliconix - 晶體管 - FET，MOSFET - 單 SI3460BDV-T1-E3

SI3460BDV-T1-E3

簡單介紹

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VGS（TH）（最大）@標識:	1V @ 250µA
Vgs（最大）:	±8V
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:	6-TSOP
系列:	TrenchFET®
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	27 mOhm @ 5.1A, 4.5V
功率耗散（最大）:	2W (Ta), 3.5W (Tc)
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
其他名稱:	SI3460BDV-T1-E3TR SI3460BDVT1E3
工作溫度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:	15 Weeks
製造商零件編號:	SI3460BDV-T1-E3
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	860pF @ 10V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	24nC @ 8V
FET型:	N-Channel
FET特點:	-
展開說明:	N-Channel 20V 8A (Tc) 2W (Ta), 3.5W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
驅動電壓（最大Rds開，最小Rds開）:	1.8V, 4.5V
漏極至源極電壓（Vdss）:	20V
描述:	MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP
電流 - 25°C連續排水（Id）:	8A (Tc)
Email:	[email protected]