SI2319DS-T1-E3
型號:
SI2319DS-T1-E3
製造商:
Vishay / Siliconix
描述:
MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
13621 Pieces
數據表:
SI2319DS-T1-E3.pdf

簡單介紹

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產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:3V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:SOT-23-3 (TO-236)
系列:TrenchFET®
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:82 mOhm @ 3A, 10V
功率耗散(最大):750mW (Ta)
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
其他名稱:SI2319DS-T1-E3TR
SI2319DST1E3
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:14 Weeks
製造商零件編號:SI2319DS-T1-E3
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:470pF @ 20V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:17nC @ 10V
FET型:P-Channel
FET特點:-
展開說明:P-Channel 40V 2.3A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):4.5V, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):40V
描述:MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
電流 - 25°C連續排水(Id):2.3A (Ta)
Email:[email protected]

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