購買 SI1069X-T1-GE3與BYCHPS
購買即有保證
VGS(TH)(最大)@標識: | 1.5V @ 250µA |
---|---|
Vgs(最大): | ±12V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | SC-89-6 |
系列: | TrenchFET® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 184 mOhm @ 940mA, 4.5V |
功率耗散(最大): | 236mW (Ta) |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | SOT-563, SOT-666 |
其他名稱: | SI1069X-T1-GE3TR SI1069XT1GE3 |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期: | 24 Weeks |
製造商零件編號: | SI1069X-T1-GE3 |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 308pF @ 10V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 6.86nC @ 5V |
FET型: | P-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | P-Channel 20V 236mW (Ta) Surface Mount SC-89-6 |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 2.5V, 4.5V |
漏極至源極電壓(Vdss): | 20V |
描述: | MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6 |
電流 - 25°C連續排水(Id): | - |
Email: | [email protected] |