SI1069X-T1-GE3
SI1069X-T1-GE3
型號:
SI1069X-T1-GE3
製造商:
Vishay / Siliconix
描述:
MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
18572 Pieces
數據表:
SI1069X-T1-GE3.pdf

簡單介紹

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產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:1.5V @ 250µA
Vgs(最大):±12V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:SC-89-6
系列:TrenchFET®
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:184 mOhm @ 940mA, 4.5V
功率耗散(最大):236mW (Ta)
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:SOT-563, SOT-666
其他名稱:SI1069X-T1-GE3TR
SI1069XT1GE3
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:24 Weeks
製造商零件編號:SI1069X-T1-GE3
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:308pF @ 10V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:6.86nC @ 5V
FET型:P-Channel
FET特點:-
展開說明:P-Channel 20V 236mW (Ta) Surface Mount SC-89-6
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):2.5V, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss):20V
描述:MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6
電流 - 25°C連續排水(Id):-
Email:[email protected]

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