PSMN7R0-100ES,127 - Nexperia USA Inc. - 晶體管 - FET，MOSFET - 單 PSMN7R0-100ES,127

PSMN7R0-100ES,127

簡單介紹

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VGS（TH）（最大）@標識:	4V @ 1mA
Vgs（最大）:	±20V
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:	I2PAK
系列:	-
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	6.8 mOhm @ 15A, 10V
功率耗散（最大）:	269W (Tc)
封装:	Tube
封裝/箱體:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
其他名稱:	1727-5897 568-7516-5 568-7516-5-ND 934064292127 PSMN7R0-100ES,127-ND PSMN7R0100ES127
工作溫度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型:	Through Hole
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:	16 Weeks
製造商零件編號:	PSMN7R0-100ES,127
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	6686pF @ 50V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	125nC @ 10V
FET型:	N-Channel
FET特點:	-
展開說明:	N-Channel 100V 100A (Tc) 269W (Tc) Through Hole I2PAK
驅動電壓（最大Rds開，最小Rds開）:	10V
漏極至源極電壓（Vdss）:	100V
描述:	MOSFET N-CH 100V I2PAK
電流 - 25°C連續排水（Id）:	100A (Tc)
Email:	[email protected]