購買 PMXB65ENEZ與BYCHPS
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VGS(TH)(最大)@標識: | 2.5V @ 250µA |
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Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | DFN1010D-3 |
系列: | - |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 67 mOhm @ 3.2A, 10V |
功率耗散(最大): | 400mW (Ta), 8.33W (Tc) |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | 3-XDFN Exposed Pad |
其他名稱: | 1727-1478-2 1727-1478-2INACTIVE-ND 568-10949-2 568-10949-2-ND 934067148147 PMXB65ENE PMXB65ENEZ-ND |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期: | 6 Weeks |
製造商零件編號: | PMXB65ENEZ |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 295pF @ 15V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 11nC @ 10V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | N-Channel 30V 3.2A (Ta) 400mW (Ta), 8.33W (Tc) Surface Mount DFN1010D-3 |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 4.5V, 10V |
漏極至源極電壓(Vdss): | 30V |
描述: | MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 3.2A (Ta) |
Email: | [email protected] |