PMGD8000LN,115
型號:
PMGD8000LN,115
製造商:
NXP Semiconductors / Freescale
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
17732 Pieces
數據表:
PMGD8000LN,115.pdf

簡單介紹

BYCHIPS是 PMGD8000LN,115的现货代理商,我們有庫存立即運輸,也可供長時間供應。請寄給我們您的PMGD8000LN,115購買計劃通過電子郵件,我們會根據您的計劃給您最優惠的價格。
購買 PMGD8000LN,115與BYCHPS
購買即有保證

產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:1.5V @ 100µA
供應商設備封裝:6-TSSOP
系列:TrenchMOS™
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:8 Ohm @ 10mA, 4V
功率 - 最大:200mW
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
其他名稱:568-2370-2
934057621115
PMGD8000LN T/R
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商零件編號:PMGD8000LN,115
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:18.5pF @ 5V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:0.35nC @ 4.5V
FET型:2 N-Channel (Dual)
FET特點:Logic Level Gate
展開說明:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 125mA 200mW Surface Mount 6-TSSOP
漏極至源極電壓(Vdss):30V
描述:MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP
電流 - 25°C連續排水(Id):125mA
Email:[email protected]

快速詢價

型號
數量
公司
邮箱
電話
要求