購買 PHD34NQ10T,118與BYCHPS
購買即有保證
VGS(TH)(最大)@標識: | 4V @ 1mA |
---|---|
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | DPAK |
系列: | TrenchMOS™ |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 40 mOhm @ 17A, 10V |
功率耗散(最大): | 136W (Tc) |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
其他名稱: | 934055807118 PHD34NQ10T /T3 PHD34NQ10T /T3-ND |
工作溫度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商零件編號: | PHD34NQ10T,118 |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 1704pF @ 25V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 40nC @ 10V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | N-Channel 100V 35A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount DPAK |
漏極至源極電壓(Vdss): | 100V |
描述: | MOSFET N-CH 100V 35A DPAK |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 35A (Tc) |
Email: | [email protected] |