購買 PHD22NQ20T,118與BYCHPS
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VGS(TH)(最大)@標識: | 4V @ 1mA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | DPAK |
系列: | TrenchMOS™ |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 120 mOhm @ 12A, 10V |
功率耗散(最大): | 150W (Tc) |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
其他名稱: | 934058112118 PHD22NQ20T /T3 PHD22NQ20T /T3-ND |
工作溫度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商零件編號: | PHD22NQ20T,118 |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 1380pF @ 25V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 30.8nC @ 10V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | N-Channel 200V 21.1A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount DPAK |
漏極至源極電壓(Vdss): | 200V |
描述: | MOSFET N-CH 200V 21.1A DPAK |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 21.1A (Tc) |
Email: | [email protected] |