NTMSD6N303R2SG - ON Semiconductor - 晶體管 - FET，MOSFET - 單 NTMSD6N303R2SG

NTMSD6N303R2SG

簡單介紹

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VGS（TH）（最大）@標識:	2.5V @ 250µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:	8-SOIC
系列:	FETKY™
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	32 mOhm @ 6A, 10V
功率耗散（最大）:	2W (Ta)
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
工作溫度:	-
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:	3 (168 Hours)
製造商零件編號:	NTMSD6N303R2SG
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	950pF @ 24V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	30nC @ 10V
FET型:	N-Channel
FET特點:	Schottky Diode (Isolated)
展開說明:	N-Channel 30V 6A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
漏極至源極電壓（Vdss）:	30V
描述:	MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
電流 - 25°C連續排水（Id）:	6A (Ta)
Email:	[email protected]