NTLJS3113PT1G
NTLJS3113PT1G
型號:
NTLJS3113PT1G
製造商:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
描述:
MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WFDN
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
12928 Pieces
數據表:
NTLJS3113PT1G.pdf

簡單介紹

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產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:1V @ 250µA
Vgs(最大):±8V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:6-WDFN (2x2)
系列:µCool™
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:40 mOhm @ 3A, 4.5V
功率耗散(最大):700mW (Ta)
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:6-WDFN Exposed Pad
其他名稱:NTLJS3113PT1G-ND
NTLJS3113PT1GOSTR
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:31 Weeks
製造商零件編號:NTLJS3113PT1G
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:1329pF @ 16V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:15.7nC @ 4.5V
FET型:P-Channel
FET特點:-
展開說明:P-Channel 20V 3.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WDFN (2x2)
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):1.5V, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss):20V
描述:MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WFDN
電流 - 25°C連續排水(Id):3.5A (Ta)
Email:[email protected]

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