NTD60N02R-1G - ON Semiconductor - 晶體管 - FET，MOSFET - 單 NTD60N02R-1G

NTD60N02R-1G

簡單介紹

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VGS（TH）（最大）@標識:	2V @ 250µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:	I-Pak
系列:	-
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	10.5 mOhm @ 20A, 10V
功率耗散（最大）:	1.25W (Ta), 58W (Tc)
封装:	Tube
封裝/箱體:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
工作溫度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型:	Through Hole
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商零件編號:	NTD60N02R-1G
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	1330pF @ 20V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	14nC @ 4.5V
FET型:	N-Channel
FET特點:	-
展開說明:	N-Channel 25V 8.5A (Ta), 32A (Tc) 1.25W (Ta), 58W (Tc) Through Hole I-Pak
漏極至源極電壓（Vdss）:	25V
描述:	MOSFET N-CH 25V 8.5A IPAK
電流 - 25°C連續排水（Id）:	8.5A (Ta), 32A (Tc)
Email:	[email protected]