NSV40301MDR2G - ON Semiconductor - 晶體管 - 雙極（BJT） - 陣列 NSV40301MDR2G

NSV40301MDR2G

簡單介紹

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電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:	40V
Vce飽和（最大）@ IB，IC:	115mV @ 200mA, 2A
晶體管類型:	2 NPN (Dual)
供應商設備封裝:	8-SOIC
系列:	-
功率 - 最大:	653mW
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
工作溫度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:	7 Weeks
製造商零件編號:	NSV40301MDR2G
頻率 - 轉換:	100MHz
展開說明:	Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 40V 3A 100MHz 653mW Surface Mount 8-SOIC
描述:	TRANS 2NPN 40V 3A 8SOIC
直流電流增益（HFE）（最小值）@ IC，的Vce:	180 @ 2A, 2V
電流 - 集電極截止（最大）:	100nA (ICBO)
電流 - 集電極（Ic）（最大）:	3A
Email:	[email protected]