IXYX100N65B3D1 - IXYS - 晶體管 - IGBT - 單 IXYX100N65B3D1 - BYCHIPS

IXYX100N65B3D1

型號:: IXYX100N65B3D1

製造商:: IXYS Corporation

描述:: IGBT 650V 188A 1150W PLUS247

無鉛狀態/ RoHS狀態:: 無鉛/符合RoHS

庫存數量:: 12213 Pieces

數據表:: IXYX100N65B3D1.pdf

簡單介紹

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產品特性

電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:	650V
的VCE（on）（最大）@ VGE，IC:	1.85V @ 15V, 70A
測試條件:	400V, 50A, 3 Ohm, 15V
Td（開/關）@ 25°C:	29ns/150ns
開關能量:	1.27mJ (on), 1.37mJ (off)
供應商設備封裝:	PLUS247™-3
系列:	GenX3™, XPT™
反向恢復時間（trr）:	156ns
功率 - 最大:	830W
封装:	Tube
封裝/箱體:	TO-247-3
工作溫度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型:	Through Hole
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:	14 Weeks
製造商零件編號:	IXYX100N65B3D1
輸入類型:	Standard
IGBT類型:	PT
柵極電荷:	168nC
展開說明:	IGBT PT 650V 225A 830W Through Hole PLUS247™-3
描述:	IGBT 650V 188A 1150W PLUS247
電流 - 集電極脈衝（ICM）:	460A
電流 - 集電極（Ic）（最大）:	225A
Email:	[email protected]

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圖片	型號	製造商	描述	查看
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