購買 IXTQ180N055T與BYCHPS
購買即有保證
VGS(TH)(最大)@標識: | 4V @ 1mA |
---|---|
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | TO-3P |
系列: | - |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 4 mOhm @ 50A, 10V |
功率耗散(最大): | - |
封装: | Tube |
封裝/箱體: | TO-3P-3, SC-65-3 |
工作溫度: | - |
安裝類型: | Through Hole |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商零件編號: | IXTQ180N055T |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 5800pF @ 25V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 160nC @ 10V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | N-Channel 55V 180A (Tc) Through Hole TO-3P |
漏極至源極電壓(Vdss): | 55V |
描述: | MOSFET N-CH 55V 180A TO-3P |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 180A (Tc) |
Email: | [email protected] |