購買 IXTP01N100D與BYCHPS
購買即有保證
| VGS(TH)(最大)@標識: | - |
|---|---|
| Vgs(最大): | ±20V |
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 供應商設備封裝: | TO-220AB |
| 系列: | - |
| RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 110 Ohm @ 50mA, 0V |
| 功率耗散(最大): | 1.1W (Ta), 25W (Tc) |
| 封装: | Tube |
| 封裝/箱體: | TO-220-3 |
| 其他名稱: | 607074 Q1614635 |
| 工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型: | Through Hole |
| 製造商標準交貨期: | 8 Weeks |
| 製造商零件編號: | IXTP01N100D |
| 輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 120pF @ 25V |
| 柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | - |
| FET型: | N-Channel |
| FET特點: | Depletion Mode |
| 展開說明: | N-Channel 1000V (1kV) 100mA (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| 驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | - |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 1000V (1kV) |
| 描述: | MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB |
| 電流 - 25°C連續排水(Id): | 100mA (Tc) |
| Email: | [email protected] |