IXTH2R4N120P - IXYS - 晶體管 - FET，MOSFET - 單 IXTH2R4N120P - BYCHIPS

IXTH2R4N120P

型號:: IXTH2R4N120P

製造商:: IXYS Corporation

描述:: MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-247

無鉛狀態/ RoHS狀態:: 無鉛/符合RoHS

庫存數量:: 16708 Pieces

數據表:: IXTH2R4N120P.pdf

簡單介紹

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產品特性

VGS（TH）（最大）@標識:	4.5V @ 250µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:	TO-247 (IXTH)
系列:	Polar™
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	7.5 Ohm @ 500mA, 10V
功率耗散（最大）:	125W (Tc)
封装:	Tube
封裝/箱體:	TO-247-3
工作溫度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Through Hole
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:	8 Weeks
製造商零件編號:	IXTH2R4N120P
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	1207pF @ 25V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	37nC @ 10V
FET型:	N-Channel
FET特點:	-
展開說明:	N-Channel 1200V (1.2kV) 2.4A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
漏極至源極電壓（Vdss）:	1200V (1.2kV)
描述:	MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-247
電流 - 25°C連續排水（Id）:	2.4A (Tc)
Email:	[email protected]

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