IXFN360N10T
IXFN360N10T
型號:
IXFN360N10T
製造商:
IXYS Corporation
描述:
MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
16124 Pieces
數據表:
IXFN360N10T.pdf

簡單介紹

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產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:4.5V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:SOT-227B
系列:HiPerFET™
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:2.6 mOhm @ 180A, 10V
功率耗散(最大):830W (Tc)
封装:Tube
封裝/箱體:SOT-227-4, miniBLOC
工作溫度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型:Chassis Mount
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:8 Weeks
製造商零件編號:IXFN360N10T
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:36000pF @ 25V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:505nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特點:-
展開說明:N-Channel 100V 360A 830W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):10V
漏極至源極電壓(Vdss):100V
描述:MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B
電流 - 25°C連續排水(Id):360A
Email:[email protected]

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