IXFN32N100Q3 - IXYS - 晶體管 - FET，MOSFET - 單 IXFN32N100Q3

IXFN32N100Q3

簡單介紹

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VGS（TH）（最大）@標識:	6.5V @ 8mA
Vgs（最大）:	±30V
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:	SOT-227B
系列:	HiPerFET™
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	320 mOhm @ 16A, 10V
功率耗散（最大）:	780W (Tc)
封装:	Tube
封裝/箱體:	SOT-227-4, miniBLOC
工作溫度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Chassis Mount
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:	8 Weeks
製造商零件編號:	IXFN32N100Q3
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	9940pF @ 25V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	195nC @ 10V
FET型:	N-Channel
FET特點:	-
展開說明:	N-Channel 1000V (1kV) 28A 780W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
驅動電壓（最大Rds開，最小Rds開）:	10V
漏極至源極電壓（Vdss）:	1000V (1kV)
描述:	MOSFET N-CH 1000V 28A SOT-227
電流 - 25°C連續排水（Id）:	28A
Email:	[email protected]