IXFN20N120
IXFN20N120
型號:
IXFN20N120
製造商:
IXYS Corporation
描述:
MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
17442 Pieces
數據表:
IXFN20N120.pdf

簡單介紹

BYCHIPS是 IXFN20N120的现货代理商,我們有庫存立即運輸,也可供長時間供應。請寄給我們您的IXFN20N120購買計劃通過電子郵件,我們會根據您的計劃給您最優惠的價格。
購買 IXFN20N120與BYCHPS
購買即有保證

產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:4.5V @ 8mA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:SOT-227B
系列:HiPerFET™
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:750 mOhm @ 500mA, 10V
功率耗散(最大):780W (Tc)
封装:Tube
封裝/箱體:SOT-227-4, miniBLOC
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Chassis Mount
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:8 Weeks
製造商零件編號:IXFN20N120
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:7400pF @ 25V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:160nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特點:-
展開說明:N-Channel 1200V (1.2kV) 20A 780W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
漏極至源極電壓(Vdss):1200V (1.2kV)
描述:MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B
電流 - 25°C連續排水(Id):20A
Email:[email protected]

快速詢價

型號
數量
公司
邮箱
電話
要求