IRLML6401TR - Infineon Technologies - 晶體管 - FET，MOSFET - 單 IRLML6401TR

IRLML6401TR

簡單介紹

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VGS（TH）（最大）@標識:	950mV @ 250µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:	Micro3™/SOT-23
系列:	HEXFET®
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	50 mOhm @ 4.3A, 4.5V
功率耗散（最大）:	1.3W (Ta)
封装:	Cut Tape (CT)
封裝/箱體:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
其他名稱:	*IRLML6401TR IRLML6401 IRLML6401-ND IRLML6401CT
工作溫度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商零件編號:	IRLML6401TR
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	830pF @ 10V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	15nC @ 5V
FET型:	P-Channel
FET特點:	-
展開說明:	P-Channel 12V 4.3A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
漏極至源極電壓（Vdss）:	12V
描述:	MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23
電流 - 25°C連續排水（Id）:	4.3A (Ta)
Email:	[email protected]