購買 IRLML6302TR與BYCHPS
購買即有保證
| VGS(TH)(最大)@標識: | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 供應商設備封裝: | Micro3™/SOT-23 |
| 系列: | HEXFET® |
| RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 600 mOhm @ 610mA, 4.5V |
| 功率耗散(最大): | 540mW (Ta) |
| 封装: | Cut Tape (CT) |
| 封裝/箱體: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 其他名稱: | *IRLML6302TR IRLML6302 IRLML6302-ND IRLML6302CT |
| 工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型: | Surface Mount |
| 濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
| 製造商零件編號: | IRLML6302TR |
| 輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 97pF @ 15V |
| 柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 3.6nC @ 4.45V |
| FET型: | P-Channel |
| FET特點: | - |
| 展開說明: | P-Channel 20V 780mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 20V |
| 描述: | MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23 |
| 電流 - 25°C連續排水(Id): | 780mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |