IRLML6302GTRPBF - Infineon Technologies - 晶體管 - FET，MOSFET - 單 IRLML6302GTRPBF

IRLML6302GTRPBF

簡單介紹

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VGS（TH）（最大）@標識:	1.5V @ 250µA
Vgs（最大）:	±12V
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:	Micro3™/SOT-23
系列:	HEXFET®
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	600 mOhm @ 610mA, 4.5V
功率耗散（最大）:	540mW (Ta)
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
其他名稱:	IRLML6302GTRPBF-ND IRLML6302GTRPBFTR SP001550492
工作溫度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:	10 Weeks
製造商零件編號:	IRLML6302GTRPBF
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	97pF @ 15V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	3.6nC @ 4.5V
FET型:	P-Channel
FET特點:	-
展開說明:	P-Channel 20V 780mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
驅動電壓（最大Rds開，最小Rds開）:	2.7V, 4.5V
漏極至源極電壓（Vdss）:	20V
描述:	MOSFET P-CH 20V 0.78A SOT-23-3
電流 - 25°C連續排水（Id）:	780mA (Ta)
Email:	[email protected]