IRLHS6376TRPBF - Infineon Technologies - 晶體管 - FET，MOSFET - 陣列 IRLHS6376TRPBF

IRLHS6376TRPBF

簡單介紹

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VGS（TH）（最大）@標識:	1.1V @ 10µA
供應商設備封裝:	6-PQFN (2x2)
系列:	HEXFET®
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	63 mOhm @ 3.4A, 4.5V
功率 - 最大:	1.5W
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	6-VDFN Exposed Pad
其他名稱:	IRLHS6376TRPBF-ND IRLHS6376TRPBFTR SP001573000
工作溫度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:	10 Weeks
製造商零件編號:	IRLHS6376TRPBF
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	270pF @ 25V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	2.8nC @ 4.5V
FET型:	2 N-Channel (Dual)
FET特點:	Logic Level Gate
展開說明:	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.6A 1.5W Surface Mount 6-PQFN (2x2)
漏極至源極電壓（Vdss）:	30V
描述:	MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
電流 - 25°C連續排水（Id）:	3.6A
Email:	[email protected]