IRLHS6342TRPBF - Infineon Technologies - 晶體管 - FET，MOSFET - 單 IRLHS6342TRPBF

IRLHS6342TRPBF

簡單介紹

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VGS（TH）（最大）@標識:	1.1V @ 10µA
Vgs（最大）:	±12V
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:	6-PQFN (2x2)
系列:	HEXFET®
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	15.5 mOhm @ 8.5A, 4.5V
功率耗散（最大）:	2.1W (Ta)
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	6-PowerVDFN
其他名稱:	IRLHS6342TRPBF-ND IRLHS6342TRPBFTR SP001573840
工作溫度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:	10 Weeks
製造商零件編號:	IRLHS6342TRPBF
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	1019pF @ 25V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	11nC @ 4.5V
FET型:	N-Channel
FET特點:	-
展開說明:	N-Channel 30V 8.7A (Ta), 19A (Tc) 2.1W (Ta) Surface Mount 6-PQFN (2x2)
驅動電壓（最大Rds開，最小Rds開）:	2.5V, 4.5V
漏極至源極電壓（Vdss）:	30V
描述:	MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN
電流 - 25°C連續排水（Id）:	8.7A (Ta), 19A (Tc)
Email:	[email protected]