IRLHS6242TR2PBF - Infineon Technologies - 晶體管 - FET，MOSFET - 單 IRLHS6242TR2PBF

IRLHS6242TR2PBF

簡單介紹

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VGS（TH）（最大）@標識:	1.1V @ 10µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:	6-PQFN (2x2)
系列:	HEXFET®
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	11.7 mOhm @ 8.5A, 4.5V
功率耗散（最大）:	1.98W (Ta), 9.6W (Tc)
封装:	Original-Reel®
封裝/箱體:	6-PowerVDFN
其他名稱:	IRLHS6242TR2PBFDKR
工作溫度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商零件編號:	IRLHS6242TR2PBF
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	1110pF @ 10V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	14nC @ 4.5V
FET型:	N-Channel
FET特點:	-
展開說明:	N-Channel 20V 10A (Ta), 12A (Tc) 1.98W (Ta), 9.6W (Tc) Surface Mount 6-PQFN (2x2)
漏極至源極電壓（Vdss）:	20V
描述:	MOSFET N-CH 20V 10A PQFN
電流 - 25°C連續排水（Id）:	10A (Ta), 12A (Tc)
Email:	[email protected]