IRFHM8363TR2PBF
IRFHM8363TR2PBF
型號:
IRFHM8363TR2PBF
製造商:
International Rectifier (Infineon Technologies)
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
16056 Pieces
數據表:
IRFHM8363TR2PBF.pdf

簡單介紹

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產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:2.35V @ 25µA
供應商設備封裝:8-PQFN (3.3x3.3), Power33
系列:HEXFET®
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:14.9 mOhm @ 10A, 10V
功率 - 最大:2.7W
封装:Original-Reel®
封裝/箱體:8-PowerVDFN
其他名稱:IRFHM8363TR2PBFDKR
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商零件編號:IRFHM8363TR2PBF
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:1165pF @ 10V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:15nC @ 10V
FET型:2 N-Channel (Dual)
FET特點:Logic Level Gate
展開說明:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 11A 2.7W Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
漏極至源極電壓(Vdss):30V
描述:MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
電流 - 25°C連續排水(Id):11A
Email:[email protected]

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