購買 IRFHM8329TRPBF與BYCHPS
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VGS(TH)(最大)@標識: | 2.2V @ 25µA |
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Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | PQFN (3x3) |
系列: | HEXFET® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 6.1 mOhm @ 20A, 10V |
功率耗散(最大): | 2.6W (Ta), 33W (Tc) |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | 8-PowerTDFN |
其他名稱: | IRFHM8329TRPBFTR SP001566808 |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商零件編號: | IRFHM8329TRPBF |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 1710pF @ 10V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 26nC @ 10V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | N-Channel 30V 16A (Ta), 57A (Tc) 2.6W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount PQFN (3x3) |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 4.5V, 10V |
漏極至源極電壓(Vdss): | 30V |
描述: | MOSFET N-CH 30V 16A PQFN |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 16A (Ta), 57A (Tc) |
Email: | [email protected] |