IRFHM8326TRPBF - Infineon Technologies - 晶體管 - FET，MOSFET - 單 IRFHM8326TRPBF

IRFHM8326TRPBF

簡單介紹

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VGS（TH）（最大）@標識:	2.2V @ 50µA
Vgs（最大）:	±20V
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
系列:	HEXFET®
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	4.7 mOhm @ 20A, 10V
功率耗散（最大）:	2.8W (Ta), 37W (Tc)
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	8-PowerTDFN
其他名稱:	IRFHM8326TRPBFTR SP001570892
工作溫度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:	12 Weeks
製造商零件編號:	IRFHM8326TRPBF
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	2496pF @ 10V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	39nC @ 10V
FET型:	N-Channel
FET特點:	-
展開說明:	N-Channel 30V 19A (Ta) 2.8W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount
驅動電壓（最大Rds開，最小Rds開）:	4.5V, 10V
漏極至源極電壓（Vdss）:	30V
描述:	MOSFET N-CH 30V 25A PQFN
電流 - 25°C連續排水（Id）:	19A (Ta)
Email:	[email protected]