IRFHM831TR2PBF - Infineon Technologies - 晶體管 - FET，MOSFET - 單 IRFHM831TR2PBF

IRFHM831TR2PBF

簡單介紹

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VGS（TH）（最大）@標識:	2.35V @ 25µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:	PQFN (3x3)
系列:	HEXFET®
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	7.8 mOhm @ 12A, 10V
功率耗散（最大）:	2.5W (Ta), 27W (Tc)
封装:	Original-Reel®
封裝/箱體:	8-PowerTDFN
其他名稱:	IRFHM831TR2PBFDKR
工作溫度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商零件編號:	IRFHM831TR2PBF
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	1050pF @ 25V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	16nC @ 10V
FET型:	N-Channel
FET特點:	-
展開說明:	N-Channel 30V 14A (Ta), 40A (Tc) 2.5W (Ta), 27W (Tc) Surface Mount PQFN (3x3)
漏極至源極電壓（Vdss）:	30V
描述:	MOSFET N-CH 30V 14A PQFN
電流 - 25°C連續排水（Id）:	14A (Ta), 40A (Tc)
Email:	[email protected]