購買 IRFHM830DTRPBF與BYCHPS
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VGS(TH)(最大)@標識: | 2.35V @ 50µA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | PQFN (3x3) |
系列: | HEXFET® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 4.3 mOhm @ 20A, 10V |
功率耗散(最大): | 2.8W (Ta), 37W (Tc) |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | 8-VQFN Exposed Pad |
其他名稱: | SP001554840 |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商零件編號: | IRFHM830DTRPBF |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 1797pF @ 25V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 27nC @ 10V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | N-Channel 30V 20A (Ta), 40A (Tc) 2.8W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount PQFN (3x3) |
漏極至源極電壓(Vdss): | 30V |
描述: | MOSFET N-CH 30V 20A PQFN |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 20A (Ta), 40A (Tc) |
Email: | [email protected] |