購買 IRFD120與BYCHPS
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VGS(TH)(最大)@標識: | 4V @ 250µA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
系列: | - |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 270 mOhm @ 780mA, 10V |
功率耗散(最大): | 1.3W (Ta) |
封装: | Tube |
封裝/箱體: | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
其他名稱: | *IRFD120 IRFD121 IRFD122 |
工作溫度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
安裝類型: | Through Hole |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商零件編號: | IRFD120 |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 360pF @ 25V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 16nC @ 10V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | N-Channel 100V 1.3A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
漏極至源極電壓(Vdss): | 100V |
描述: | MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 1.3A (Ta) |
Email: | [email protected] |