IRF8301MTRPBF - Infineon Technologies - 晶體管 - FET，MOSFET - 單 IRF8301MTRPBF

IRF8301MTRPBF

簡單介紹

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VGS（TH）（最大）@標識:	2.35V @ 150µA
Vgs（最大）:	±20V
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:	DIRECTFET™ MT
系列:	HEXFET®
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	1.5 mOhm @ 32A, 10V
功率耗散（最大）:	2.8W (Ta), 89W (Tc)
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	DirectFET™ Isometric MT
其他名稱:	IRF8301MTRPBF-ND IRF8301MTRPBFTR SP001555752
工作溫度:	-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:	12 Weeks
製造商零件編號:	IRF8301MTRPBF
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	6140pF @ 15V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	77nC @ 4.5V
FET型:	N-Channel
FET特點:	-
展開說明:	N-Channel 30V 27A (Ta), 34A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT
驅動電壓（最大Rds開，最小Rds開）:	4.5V, 10V
漏極至源極電壓（Vdss）:	30V
描述:	MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET MT
電流 - 25°C連續排水（Id）:	27A (Ta), 34A (Tc)
Email:	[email protected]