IRF7103TRPBF - Infineon Technologies - 晶體管 - FET，MOSFET - 陣列 IRF7103TRPBF

IRF7103TRPBF

簡單介紹

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VGS（TH）（最大）@標識:	3V @ 250µA
供應商設備封裝:	8-SO
系列:	HEXFET®
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	130 mOhm @ 3A, 10V
功率 - 最大:	2W
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
其他名稱:	IRF7103PBFTR SP001562004
工作溫度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:	14 Weeks
製造商零件編號:	IRF7103TRPBF
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	290pF @ 25V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	30nC @ 10V
FET型:	2 N-Channel (Dual)
FET特點:	Standard
展開說明:	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 3A 2W Surface Mount 8-SO
漏極至源極電壓（Vdss）:	50V
描述:	MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
電流 - 25°C連續排水（Id）:	3A
Email:	[email protected]